SK Hynix
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| SK Hynix Inc. SK하이닉스 | |
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| Création | 1983 |
|---|---|
| Forme juridique | Public |
| Action | KSE : 000660.KS |
| Slogan | Good memory |
| Siège social | Icheon Corée du Sud
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| Direction | Jong-Kap Kim (CEO) |
| Activité | semi-conducteurs |
| Produits | mémoire vive DRAM mémoire flash NAND |
| Société mère | SK Group |
| Filiales | LG Semiconductor (d) SK Hynix (Japan) (d) SK Hynix (United States) (d) |
| Effectif | 17 668 (mars 2009) |
| Site web | http://www.hynix.com |
| Chiffre d'affaires | 6 818 milliards KRW (2008)  21 %
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| Résultat net | (1 920) milliards KRW (2008) déficit |
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SK Hynix (anciennement Hynix semiconductors Inc.) est une entreprise sud-coréenne fabriquant des composants semi-conducteurs.
Histoire
Années 80 et 90
Elle fut fondée en 1983 en tant que Hyundai Electronics Industries Co., et s'est concentrée dans les années 1980-1990 dans la production de mémoire DRAM, puis plus tard de SDRAM ainsi que les écrans à tube cathodique, à LCD et les télécommunications. Elle a été notamment la première entreprise au monde à développer le SDRAM 256 Mo en et le SDRAM 1 Go en .
Crise financière asiatique
Avec la survenue de la crise financière asiatique en 1997, le gouvernement sud-coréen, via son programme « Big Deal », a imposé l'acquisition de la part de Hyundai Electronics de l'entreprise LG Semiconductors, deux entreprises rivales issues des chaebols Hyundai et LG. L'entreprise a commencé dès lors sa restructuration et a décidé de se spécialiser dans le domaine des semi-conducteurs, notamment en vendant en sa division d'écrans, sa branche télécommunication en et sa filiale TFT-LCD en pour 650 millions de $. Par ailleurs, l'entreprise a changé son nom en l'actuel Hynix en et a définitivement quitté le chaebol Hyundai le mois d'août de la même année.
Années 2000
Hynix est l'un des leaders en matière de la technologie de la mémoire vive. En , Hynix a été la première entreprise à commercialiser le SDRAM DDR 128 Mo à usage graphique. L'année suivante, elle a fait de même avec le SDRAM DDR 256 Mo à usage graphique. En 2003, elle a été la première au monde à développer le SDRAM DDR2 1 Go. Les avancées se sont poursuivies avec le développement de la SDRAM DDR fonctionnant à 550 MHz (), de la GDDR4 SDRAM 512 Mo (), du DRAM mobile 512 Mo fonctionnant à 200 MHz ainsi que le module SDRAM DDR2 à gravure 60 nm ().
À partir de l'année 2007, tout en dominant le marché de la mémoire vive avec son homologue sud-coréen Samsung Electronics tant au point de vue part de marché et niveau technologique - avec notamment le développement du DRAM mobile 1 Go et le développement du GDDR5 1 Go - Hynix a commencé à se concentrer dans le marché de la mémoire flash et dans le domaine du CMOS Image Sensor. Elle a été notamment la première au monde à pouvoir empiler 24 couches de mémoire Flash NAND () et à concevoir la première mémoire flash NAND x3 (), une technologie qui permet d'intégrer 3 bits par cellule, augmentant ainsi les capacités de stockage et la miniaturisation.
En 2008, selon iSuppli, Hynix est le 2e fabricant au monde de la mémoire vive DRAM, 4e fabricant au monde de la mémoire flash NAND, ce qui fait d'elle la neuvième entreprise au monde de semi-conducteur.
Années 2010
En , SK Telecom annonce le rachat de 21 % du capital de Hynix pour 3,4 billions de won, soit approximativement 3 milliards de $ de l'époque[1].
En 2014, SK Hynix met au point la première barrette de RAM DDR4 128 Go[2].
En , Intel annonce la vente de ses activités dans les mémoires flash NAND à SK Hynix pour 9 milliards de dollars[3].
Galerie
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Sites de production
Références
- SK Tel buys control of the world's No.2 memory chipmaker for $3 bln, Ju-min Park, Reuters, Nov 14, 2011
- (en) Christian Bryant, « SK Hynix DDR4 Memory Hits 128GB Mark », article mis en ligne le 10 avril 2014 (consulté le )
- Hyunjoo Jin et Stephen Nellis, « South Korea's SK Hynix to buy Intel's NAND business for $9 billion », sur Reuters,
Liens externes
- (en) http://www.hynix.com
- (ko) http://www.hynix.co.kr
