Бєляєв Олександр Євгенович

Матеріал з Вікіпедії — вільної енциклопедії.
Перейти до навігації Перейти до пошуку
Бєляєв Олександр Євгенович
Народився25 червня 1947(1947-06-25)[1] (77 років)
Київ, Українська РСР, СРСР
Країна СРСР
 Україна
Діяльністьфізик
Alma materКНУ імені Тараса Шевченка
ЗакладІнститут фізики напівпровідників імені В. Є. Лашкарьова НАН України
Науковий ступіньдоктор фізико-математичних наук
ЧленствоНАНУ
Нагороди

Олександр Євгенович Бєляєв (25 червня 1947(1947-06-25), Київ) — український фізик, дійсний член НАН України. Доктор фізико-математичних наук (1991), професор (1999), член-кореспондент НАН України (2006), дійсний член НАН України (2018).

Життєпис

[ред. | ред. код]

Народився 25 червня 1947 року в Києві. У 1972 році закінчив Київський університет. З 1973 працює в Інституті фізики напівпровідників НАН України (з 2003 — заступник директора, з 2011 — директор).

Наукові праці стосуються експериментальної фізики напівпровідників, зокрема дослідження транспортних і оптичних явищ у квантових багатошарових гетероструктурах і системах зі зниженою розмірністю. Спільно з іншими з'ясував вплив особливостей зонної структури та специфіки розсіяння носіїв заряду при поглинанні інфрачервоного випромінювання. Досліджує електронні властивості напівпровідникових гетероструктур, явища переносу в низьковимірних системах, їх застосування в приладах НВЧ-електроніки.

Нагороди

[ред. | ред. код]

Праці

[ред. | ред. код]
  • Coexistense of two deep donor states, DX0 and DX, of the Sn donor in Ga1-xAIxAs // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 45 (співавт.);
  • Radiation resistance of GaAs-based mictowave Schottky-barrier devices. K., 1998 (співавт.);
  • Tunneling through X-valley-related impyrity states in GaAs/AIAs resonant tunneling diodes // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 61, № 16 (співавт.);
  • Excess low-frequency noise in AIGaN/GaN-based high-electron-mobility transistors // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 80, № 12 (співавт.).

Примітки

[ред. | ред. код]

Посилання

[ред. | ред. код]