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酸化物半導体

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』

酸化物半導体(さんかぶつはんどうたい)は、半導体の一つ。金属カチオンとして用いたものが大多数で、多くが広いバンドギャップを有し、可視光域の電磁波を透過する。中には高い電荷担体濃度や移動度を示すものもあり、これらの特徴を用いた様々な用途が考案されている。代表的なものに酸化亜鉛二酸化スズ酸化インジウムITO(通常In2O3:SnO2 = 90:10 [wt%])がある。多くは電子を電荷担体としたn型であるが、酸化銅酸化銀、また一酸化スズなどの正孔を電荷担体としたp型も報告されている。代表的な用途としては透明伝導膜や超伝導センサーなどが研究されている[1][2][3]

脚注

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  1. ^ Ito, M. "透明アモルファス酸化物半導体の電子ペーパーへの応用 (Application of Amorphous Oxide Semiconductor for e-papers)."
  2. ^ Kumomi, H. "アモルファス酸化物半導体 TFT とその OLED 駆動素子への応用 (Amorphous Oxide Semiconductor-Based TFT and Its Application for OLED)." 132.
  3. ^ 玉置純, 長岡忠仁, 山本善史, 松岡政夫、「Co3O4-Fe2O3複合体を用いた酸化物半導体センサのNOx検知特性」 『電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌)』 1998年 118巻 2号 p.125-129, doi:10.1541/ieejsmas.118.125

参考文献

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  • 田村英雄, 米山宏、「酸化物半導体の電気化学特性」 『電気化学および工業物理化学』 1980年 48巻 6号 p.335-343, doi:10.5796/kogyobutsurikagaku.48.335, 電気化学会
  • 竹森, 若林, 白江. "金属酸化物半導体ガスセンサを用いたガス識別システム, 第 4 回化学センサ研究発表会." (1985).
  • 西原美一、「遷移金属酸化物の電子構造と物性」 『日本物理学会誌』 1994年 49巻 10号 p.811-818, doi:10.11316/butsuri1946.49.811, 日本物理学会
  • 三浦則雄, 高橋理, 阿武裕一 ほか、「牛肉の鮮度評価を目指した酸化物半導体ガスセンサの開発」 『電気学会論文誌E(センサ・マイクロマシン部門誌)』 1997年 117巻 6号 p.306-313, doi:10.1541/ieejsmas.117.306, 電気学会
  • 細野秀雄、「酸化物半導体: 総論 (小特集 酸化物エレクトロニクスの進展と将来展望)」 『電子情報通信学会誌』 97.3 (2014): 178-186, NAID 110009805470

関連項目

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